Оксиды галия ставит рекорды: создан транзистор с пробоем выше 8 киловольт
Еще в прошлом году ученые из Университета в Буффало разработали принципиально новый транзистор, напряжение пробоя которого превышает 8 киловольт. Эта разработка позволит существенно уменьшить силовые агрегаты, увеличить ход и энергоэффективность электротранспорта.
«В лаборатории мы испытали новые формы транзисторов на оксиде галия. Это дало нам возможность создать гораздо более эффективный элемент для систем электротранспорта», - отмечает ученый из группы исследователей.
Сообщается, что уже к концу 2021 года планируется массовое производство таких транзисторов.