Оксиды галия ставит рекорды: создан транзистор с пробоем выше 8 киловольт

Стремительный рост рынка электротранспорта невозможен без создания новых технологии и элемент, отличающихся высокой эффективностью. Стать таким орудием может новый транзистор на оксиде галия и эпоксидки.

Еще в прошлом году ученые из Университета в Буффало разработали принципиально новый транзистор, напряжение пробоя которого превышает 8 киловольт. Эта разработка позволит существенно уменьшить силовые агрегаты, увеличить ход и энергоэффективность электротранспорта.

«В лаборатории мы испытали новые формы транзисторов на оксиде галия. Это дало нам возможность создать гораздо более эффективный элемент для систем электротранспорта», - отмечает ученый из группы исследователей.

Сообщается, что уже к концу 2021 года планируется массовое производство таких транзисторов.